妊娠期高磁场暴露或增后代哮喘风险

美国一项研究显示，妊娠期间暴露于高水平磁场（MF）女性的后代哮喘风险较高。论文于2011年8月1日在线发表于《儿童和青少年医学文献》（Arch Pediatr Adolesc Med）。

　　该项前瞻性队列研究纳入801名妊娠女性，评估每日MF暴露情况，并对其后代随访13年。

　　结果为，共626例儿童被诊断为哮喘。在校正后，妊娠期间MF暴露每增加1 mG，后代哮喘发生率增加15%；与母亲低MF暴露（中位24小时≤0.3 mG）的儿童相比，母亲高MF暴露（中位24小时＞2.0 mG）者哮喘发生率增加3.5倍，母亲中等MF暴露（中位24小时0.3~2.0 mG）者哮喘发生率增加74%。来源：中国医学论坛报